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同惠 TH510系列 以芯為核，智護(hù)風(fēng)電未來(lái)
2025-04-16
一、研究背景
在當(dāng)今全球能源轉(zhuǎn)型的大背景下，可再生能源的戰(zhàn)略意義日益凸顯。其中，風(fēng)力發(fā)電以其資源豐富、環(huán)境友好、技術(shù)成熟度高等優(yōu)勢(shì)，在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展。
風(fēng)力發(fā)電作為可再生能源的重要組成部分，其基本原理是利用風(fēng)力驅(qū)動(dòng)風(fēng)力發(fā)電機(jī)組的葉片旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而通過(guò)機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能的過(guò)程。
在這過(guò)程中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊扮演著將風(fēng)能高效轉(zhuǎn)換為電能的橋梁角色。在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中，IGBT組件作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中的核心部件，其性能直接關(guān)系到風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
多重角色
? 新能源汽車(chē)：IGBT用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和精確的電機(jī)控制，從而提高車(chē)輛的加速性能和能效。
? 軌道交通：IGBT用于牽引傳動(dòng)系統(tǒng)和供電系統(tǒng)，確保列車(chē)的安全、穩(wěn)定運(yùn)行。
? 風(fēng)力發(fā)電和太陽(yáng)能：IGBT用于風(fēng)力發(fā)電和太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，能夠?qū)L(fēng)能或太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能，并輸送到電網(wǎng)中。
二、客戶(hù)情況
在涉及某一可再生能源項(xiàng)目，具體為風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，當(dāng)前階段的核心任務(wù)需對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中內(nèi)置的IGBT組件進(jìn)行C-V特性分析。
三、測(cè)試要求
1、測(cè)試電壓：1300V
2、要求測(cè)試電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部IGBT MOS管CV特性，確保其能滿(mǎn)足風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)對(duì)于高效能量轉(zhuǎn)換與精確控制的需求。
四、解決方案
根據(jù)上述測(cè)試要求，推薦TH513 半導(dǎo)體C-V特性分析儀。
在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中，IGBT組件作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中的核心部件，其性能直接關(guān)系到風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
C-V特性曲線(xiàn)是評(píng)估半導(dǎo)體材料和器件性能的重要方式。通過(guò)對(duì)IGBT組件進(jìn)行C-V特性分析，可以深入了解其寄生電容、損耗等關(guān)鍵參數(shù)，進(jìn)而優(yōu)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，提高風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的整體性能。
TH510系列是同惠根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。測(cè)試頻率為1kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V，VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V，足以滿(mǎn)足大多數(shù)功率器件測(cè)試。具體型號(hào)如下：
1、高壓適應(yīng)性
在風(fēng)力發(fā)電的初期階段，尤其是在海上風(fēng)電領(lǐng)域，由于環(huán)境的特殊性，往往伴隨著極高的電壓挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)設(shè)備受限于1200V的電壓輸出能力，難以完全滿(mǎn)足這些極端條件下的測(cè)試需求。然而，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，TH513應(yīng)運(yùn)而生，它成功突破了這一傳統(tǒng)限制，可覆蓋至3000V的高壓器件范圍，從而完美適配海上風(fēng)電等嚴(yán)苛且多變的場(chǎng)景，為可再生能源的可靠利用開(kāi)辟了全新的道路。
2、漏源高壓擊穿保護(hù)技術(shù)
在測(cè)試功率器件電容時(shí)，漏極D通常會(huì)加上高壓，特別是第三代功率半導(dǎo)體器件，電壓甚至可高達(dá)1000V-3000V，當(dāng)漏源瞬間擊穿時(shí)，常會(huì)導(dǎo)致電容器瞬間短路放電，在漏源電壓1500V時(shí)，放電電流可高達(dá)780A，如此大的瞬間電流，會(huì)反沖至儀器內(nèi)部電路，并導(dǎo)致?lián)p壞。
同惠高壓擊穿保護(hù)技術(shù)，解決了此隱患，避免經(jīng)常由于高壓沖擊損壞儀器，降低了維修成本的同時(shí)提高了自動(dòng)化測(cè)試的效率。
3、自動(dòng)化集成
TH513兼容 HANDLER 接口與 SCPI 等協(xié)議，該設(shè)備能夠無(wú)縫對(duì)接各類(lèi)產(chǎn)線(xiàn)與先進(jìn)的智能測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了測(cè)試流程的高度自動(dòng)化與集成化，從而顯著提升生產(chǎn)效率，確保產(chǎn)品質(zhì)量的同時(shí)，縮短了測(cè)試周期，為制造流程帶來(lái)了更高效、更靈活的解決方案。
4、曲線(xiàn)掃描功能（選件）
在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線(xiàn)也是一個(gè)非常重要的指標(biāo)，如下圖：
TH510系列支持C-V特性曲線(xiàn)分析，可以以對(duì)數(shù)、線(xiàn)性?xún)煞N方式實(shí)現(xiàn)曲線(xiàn)掃描，可同時(shí)顯示多條曲線(xiàn)：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線(xiàn)；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線(xiàn)。
TH510系列同時(shí)支持多種曲線(xiàn)掃描模型
曲線(xiàn)支持散點(diǎn)標(biāo)記及粗細(xì)調(diào)節(jié)
獨(dú)創(chuàng)的Ciss-Rg曲線(xiàn)掃描
5、TH513-1測(cè)試夾具
TH513-1 是專(zhuān)用于TH513 半導(dǎo)體C-V特性分析儀的測(cè)試夾具之一，專(zhuān)為實(shí)驗(yàn)室高精度測(cè)試設(shè)計(jì)。內(nèi)置Interlock安全聯(lián)鎖模塊，符合安全標(biāo)準(zhǔn)。配合TH513-1A、TH513-247-4L（選配）治具工裝可以測(cè)試TO-220、TO-247、RO-247-4L等封裝類(lèi)型的直插功率器件。另外TH513-1還配備3根測(cè)試夾，可以測(cè)試模組、非標(biāo)準(zhǔn)封裝的器件。
艾克賽普公司是同惠湖南授權(quán)代理商，如果您有TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀需求或任何疑問(wèn)，歡迎聯(lián)系我們，將提供免費(fèi)樣機(jī)上門(mén)試用和更合適的測(cè)試解決方案。
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